Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL3306
IRFSL3306PBF Hakkında
IRFSL3306PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ maksimum On-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve PWM uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 230W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Through-hole montajı ile PCB entegrasyonu kolaylaşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4520 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok