Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL3206
IRFSL3206PBF Hakkında
IRFSL3206PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü sistemlerinde, DC-DC konvertörlerde ve ağır yük anahtarlaması gerektiren endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. TO-262 paketlemesi sayesinde yüksek güç yayılımı (300W) kapasitesi ile termal yönetim gereksinimleri de karşılanabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, ±20V gate voltajı aralığında stabil çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok