Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL3206PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL3206

IRFSL3206PBF Hakkında

IRFSL3206PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 3mΩ Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W'a kadar güç tüketebilir. Motor kontrolleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 170nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6540 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok