Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFSL23N20D102P

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRFSL23N20D

IRFSL23N20D102P Hakkında

IRFSL23N20D102P, Infineon Technologies tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET transistördür. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 24A sürekli dren akımı ve 100mOhm (10V, 14A'de) maksimum RDS(on) direnci ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRFSL23N20D102P, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 86nC gate charge ve 1960pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu parça üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok