Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFSL11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFSL11N50A
IRFSL11N50A Hakkında
IRFSL11N50A, Vishay tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve düzenleme uygulamalarında kullanılır. 550mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj devreler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 51nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1426 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok