Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS840B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS840B

IRFS840B Hakkında

IRFS840B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 44W güç tüketim kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. TO-220-3 paketinde gelen cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate sürücü geriliminde 800mΩ maksimum üzerinden direnci ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok