Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS830B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS830B
IRFS830B Hakkında
IRFS830B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 35nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok