Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS820B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS820
IRFS820B Hakkında
IRFS820B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Through Hole paketinde sunulan bu komponentin maksimum Rds(on) değeri 2.6Ω'dur. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 33W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok