Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS7762PBF

MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS7762

IRFS7762PBF Hakkında

IRFS7762PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi (Vdss) ve 85A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Düşük on-state direnci (Rds On) 6.7mΩ @ 10V ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. ±20V kapı gerilim aralığı ve 130nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini destekler. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 140W güç dağılım kapasitesiyle motor sürücüleri, inverterler, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi orta-yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Not: Bu parça Digi-Key'de discontinue edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 51A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok