Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS7730PBF

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS7730

IRFS7730PBF Hakkında

IRFS7730PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltaj ve 195A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.6mΩ (10V, 100A) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IRFS7730PBF, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 407nC gate charge ve 13660pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok