Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS75347PPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS75347
IRFS75347PPBF Hakkında
IRFS75347PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET Power MOSFET'tir. N-Channel tipinde bu transistör, 60V drain-source gerilimi ve 240A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 1.95mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-263-7 D²Pak paket türünde temin edilen komponent, yüksek güç uygulamalarında switching elemanı olarak kullanılır. 290W maksimum güç kaybı toleransı ile AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9990 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (7-Lead) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok