Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS7530PBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS7530

IRFS7530PBF Hakkında

IRFS7530PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2mΩ düşük on-direnci (RDS(on)) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Surface Mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 375W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13703 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok