Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS7430PBF
TRENCH <= 40V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS7430
IRFS7430PBF Hakkında
IRFS7430PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 195A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 1.2mΩ (100A, 10V koşullarında) düşük on-direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, DC-DC konvertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 375W güç dissipasyonuna dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 460 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok