Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS7430-7PPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRFS7430

IRFS7430-7PPBF Hakkında

IRFS7430-7PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ile 240A sürekli drenaj akımına sahip bu transistör, düşük RDS(On) değeri (0.75mΩ @ 100A, 10V) sayesinde verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-7) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel motor kontrol, LED sürücü, DC-DC dönüştürücü ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 375W maksimum güç harcamasına sahiptir. 10V ve 6V drive voltaj desteği ile çeşitli kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13975 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (7-Lead)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok