Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS730B
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS730
IRFS730B Hakkında
IRFS730B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 1Ohm maksimum on-state direnci (RdsOn) ile düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda yerini alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart kontrol devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok