Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS654B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS654B

IRFS654B Hakkında

IRFS654B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve invertör uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 50W güç tüketimini yönetebilir. 3400pF input kapasitesi ve 123nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok