Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS640A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS640A

IRFS640A Hakkında

IRFS640A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 9.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme voltajında 180mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 43W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok