Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS630A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS630A

IRFS630A Hakkında

IRFS630A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 400mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli iletim sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında 38W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok