Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS614B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS614B

IRFS614B Hakkında

IRFS614B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 2Ω maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 1.4A akımda) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate yükü 10.5nC ve 275pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve switch mode power supply uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok