Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS610BFP001
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS610
IRFS610BFP001 Hakkında
IRFS610BFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 22W güç tüketebilir. Gate charge değeri 9.3nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok