Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS59N10DTRLP
MOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS59N10D
IRFS59N10DTRLP Hakkında
IRFS59N10DTRLP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 59A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paket yapısıyla kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 25mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 114nC olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok