Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS59N10D
IRFS59N10DPBF Hakkında
IRFS59N10DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 59A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 25mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 114nC gate charge ve 2450pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliklerini gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 35.4A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok