Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS5620TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS5620

IRFS5620TRLPBF Hakkında

IRFS5620TRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 24A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 77.5mΩ maksimum on-state direncine (Rds) sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 144W güç yayılımını tolere edebilir. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 38nC gate charge ve 1710pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok