Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS5620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS5620
IRFS5620PBF Hakkında
IRFS5620PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 77.5mΩ (10V, 15A'da) düşük on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 38nC gate charge ve 1710pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok