Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS5615TRLPBF

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS5615

IRFS5615TRLPBF Hakkında

IRFS5615TRLPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 42mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi sayesinde geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrolü, elektrik araç şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürüş voltajında optimal çalışması için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok