Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS5615
IRFS5615PBF Hakkında
IRFS5615PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) paket türü ile yüzey montajına uygun olup, düşük 42mOhm on-dirençi sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 144W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok