Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS510A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS510A

IRFS510A Hakkında

IRFS510A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 400mΩ maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan IRFS510A, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve gerilim regülatörü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 21W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. 12nC gate charge ve 240pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 2.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok