Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS4620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS4620

IRFS4620PBF Hakkında

IRFS4620PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 200V drain-source gerilim ve 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 77.5mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 144W güç tüketimine dayanabilir. 38nC kapı yükü ve 1710pF giriş kapasitansı özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok