Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS4410PBF-INF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS4410
IRFS4410PBF-INF Hakkında
IRFS4410PBF-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 88A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10mOhm'luk düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektrikli araç uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 200W maksimum güç yayılımı endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 58A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok