Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS4310ZPBF

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS4310Z

IRFS4310ZPBF Hakkında

IRFS4310ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal güç MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 6mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 250W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok