Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS4310TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 130A TO263-3-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS4310

IRFS4310TRRPBF Hakkında

IRFS4310TRRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketlemesinde sunulan bu komponent, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 300W'a kadar güç dağılabilir. 250nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7670 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok