Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS4310
IRFS4310PBF Hakkında
IRFS4310PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 130A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynağı uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 300W güç disipasyon kapasitesi vardır. 10V gate sürüş voltajında çalıştırılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok