Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS4229
IRFS4229PBF Hakkında
IRFS4229PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide FET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 48mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 330W güç yayabilir. 110nC gate charge ve 4560pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. Ürün Digi-Key tarafından üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4560 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok