Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS41N15DTRLP

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS41N15D

IRFS41N15DTRLP Hakkında

IRFS41N15DTRLP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 150V drain-source voltaj kapasitesi ile 41A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 45mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. 110nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor denetleyicileri, DC-DC konverterler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate voltajı ile çeşitli sürücü devrelerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok