Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS4115PBF

MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS4115

IRFS4115PBF Hakkında

IRFS4115PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. 12.1mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde ısıl yönetimin kritik olduğu sistemlerde tercih edilir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ile kontrol edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok