Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS4010TRRPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS4010
IRFS4010TRRPBF Hakkında
IRFS4010TRRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj desteği ile 180A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.7mΩ on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 375W güç tüketebilir. 10V gate-source voltajında optimize edilmiş özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9575 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 106A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok