Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS4010-7PPBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
IRFS4010

IRFS4010-7PPBF Hakkında

IRFS4010-7PPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel power MOSFET'tir. 100V dren-kaynak gerilimi ve 190A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük 4mΩ @10V RDS(on) değeriyle enerji yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. D²Pak (TO-263) paketlemesi ile surface mount montajına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 380W maksimum güç disipasyonu ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9830 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 110A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok