Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS3307ZTRRPBF

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS3307

IRFS3307ZTRRPBF Hakkında

IRFS3307ZTRRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltajında 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.8mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar ve uygulamada güç kaybını minimize eder. 10V gate sürüş voltajında 110nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 230W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve şarj cihazları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok