Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS3306
IRFS3306PBF Hakkında
IRFS3306PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 230W maksimum güç tüketimi ve düşük kapı şarj gereksinimi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Ürün durumu kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4520 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok