Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS3207PBF

MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS3207

IRFS3207PBF Hakkında

IRFS3207PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilim ve 170A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (4.5mΩ @ 75A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında ısı kaybını minimize eder. 10V gate sürme gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerinden direkt kontrol edilebilir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır ve 300W güç dissipasyonuna dayanır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün Digi-Key'de üretimi durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok