Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS31N20DTRLP
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS31N20D
IRFS31N20DTRLP Hakkında
IRFS31N20DTRLP, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilim ve 31A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Düşük on-resistance (82mOhm) özellikleri sayesinde motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface Mount TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 200W maksimum güç dağılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2370 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok