Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS31N20D

IRFS31N20DPBF Hakkında

IRFS31N20DPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 31A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V kapı geriliminde 82mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda sürücü devreleri için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 200W maksimum güç dağıtımı ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok