Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS3107PBF

MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS3107

IRFS3107PBF Hakkında

IRFS3107PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 75V 195A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 10V kapı gerilimi ile 3mΩ maksimum RDS(on) direnci, düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Gate charge 240nC @ 10V ve input capacitance 9370pF @ 50V değerleri ile karakterize edilmiştir. -55°C ~ 175°C işletme sıcaklık aralığında ve 370W maksimum güç disipasyonu ile çalışabilir. Vgs maksimum ±20V olup threshold voltajı 4V @ 250µA'dir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün güncel üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9370 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 140A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok