Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS3006TRLPBF
IRFS3006 - HEXFET N-CHANNEL POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS3006
IRFS3006TRLPBF Hakkında
IRFS3006TRLPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel HEXFET Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 195A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sağlar. Surface mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 375W güç dağıtabilir. ±20V gate gerilimi sınırlaması ve 300nC gate charge ile hızlı anahtarlama kabiliyeti sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8970 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok