Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS3006-7PPBF
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS3006
IRFS3006-7PPBF Hakkında
IRFS3006-7PPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen HEXFET N-Channel güç MOSFET'idir. 60V Drain-Source gerilimi ve 240A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.1mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 375W maksimum güç dissipasyonu destekler. ±20V kapı gerilimi aralığında güvenli şekilde işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8850 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 168A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (7-Lead) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok