Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS254BFP001

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS254

IRFS254BFP001 Hakkında

IRFS254BFP001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektloniği uygulamalarında kullanılır. 140mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC/DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 90W maksimum güç tüketimi ile tasarımlanmıştır. ±30V gate gerilimi aralığında güvenli şekilde işletilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok