Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS250B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFS250B

IRFS250B Hakkında

IRFS250B, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 21.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 85mOhm on-state direnci sayesinde verimli anahtarlama sağlar. 90W maksimum güç tüketim kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 10V gate sürme geriliminde optimal çalışır ve ±30V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10.65A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok