Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IRFS11N50ATRR

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRFS11N50A

IRFS11N50ATRR Hakkında

IRFS11N50ATRR, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımlarında kompakt yer alır. 520mΩ tipik on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge'ı 52nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Power MOSFET olarak DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuş olup yerini daha yeni versiyonlar almıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok