Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS11N50A
IRFS11N50APBF Hakkında
IRFS11N50APBF, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 52 nC gate charge ve 520 mOhm RDS(on) değerleriyle verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok