Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IRFS11N50A
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRFS11N50A
IRFS11N50A Hakkında
IRFS11N50A, Vishay tarafından üretilen 500V/11A kapasiteli N-channel güç MOSFET'idir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi yapar. 520mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) kullanılabilir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. Maximum 170W güç tüketimine ve 52nC gate charge'a sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok